Решение ТОЭ онлайн
Техника высоких напряжений ТВН
Электротехника, основы электроники
Электрические измерения, электрические материалы

 
на правах рекламы
Сортировать статьи по: дате | популярности | посещаемости | комментариям | алфавиту

Сравнительные характеристики толсто- и тонкопленочных микросхем

Сравнительные характеристики толсто- и тонкопленочных микросхем

Сравнительные характеристики толсто- и тонкопленочных микросхем

В микроэлектронике используются два основных вида интегральных микросхем: пленочные и полупроводниковые ИМС.

Пленочные ИМС создаются на диэлектрической подложке путем послойного нанесения пленок различных материалов с одновременным формированием из них микроэлементов и их соединений.

Полупроводниковые ИМС создаются путем локального воздействия на микроучастки полупроводникового монокристалла и придания им свойств, соответствующих функциям микроэлементов и их соединений.

Комбинации этих технологий позволили создать гибридные и совмещенные ИМС, которые компенсируют некоторые недостатки, имеющиеся у пленочных и полупроводниковых ИМС.

Пленочная микросхема – микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов.

Позистор

Позистор

Позистор

Позистор – терморезистор с большим положительным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС)

Позисторы изготавливаются из сегнетоэлектрических полупроводников, характеризующихся аномальным ростом удельного сопротивления вблизи области сегнетопароэлектрического фазового перехода. Наиболее распространенным материалом для изготовления позисторов является титаната бария, легированный специальными примесями.

Фоторезистор

Фоторезистор

Фоторезистор

Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения.

Если облучения нет, фоторезистор имеет некоторое большое сопротивление RТ, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторезистора и составляет 104 – 107 Ом. Соответствующий ток через фоторезистор называют темновым током. При действии излучения на фоторезистор его сопротивление уменьшается.

Общая характеристика внешней изоляции

Внешняя изоляция

Общая характеристика внешней изоляции

Внешняя изоляция. Особенности внешней изоляции. Регулирование электрических полей во внешней изоляции

К внешней изоляции установок высокого напряжения относят изоляционные промежутки между электродами (проводами линий, шинами распределительных устройств и т. д.), в которых роль основного диэлектрика выполняет воздух.

Целесообразность использования диэлектрических свойств воздуха в энергетических установках разных классов напряжения объясняется меньшей стоимостью и сравнительной простотой создания изоляции. Для ее выполнения изолируемые электроды (провода, шины и др.) располагаются на определенных расстояниях друг от друга и от земли и закрепляются с помощью изоляционных конструкций из твердых диэлектриков — изоляторов.

Терморезистор

Терморезистор

 Терморезистор

Терморезистор (термистор) – это простейший полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого в сильной мере зависит от температуры.

Наибольшее применение нашли терморезисторы, сопротивление которых с повышением температуры уменьшается, т.е. имеющие отрицательный температурный коэффициент сопротивления. При прохождении электрического тока через терморезистор последний нагревается, в результате чего усиливается ионизация полупроводника и его сопротивление уменьшается. Таким образом, терморезисторы являются ярко выраженными нелинейными сопротивлениями.

Тензорезистор

Тензорезистор

Тензорезистор

Тензорезистор – резистор, сопротивление которого изменяется в зависимости от его деформации (тензоэффект)

Тензоэффект – это эффект изменения проводимости под действием механических напряжений

В качестве тензорезистора используются металлы и полупроводники. В металлах тензоэффект связан с изменением размеров металлического проводника, а в полупроводниках в основном за счет изменения удельной проводимости под действием механических напряжений. Изменение проводимости объясняется тем, что при деформации меняется расстояние между атомами кристаллической решетки, что меняет концентрацию свободных электронов и проводимость полупроводника.

Силитовый стержень, глобар

Силитовый стержень

Силитовый стержень

Силитовый стержень (глобар) – изготовляется на основе карбида кремния (SiC), кристаллического кремния и углерода

Силитовые нагреватели применяются в электрических печах различной мощности, рассчитанных на максимальные температуры до 1500°С. Срок службы нагревателей в электрической печи может колебаться в пределах от сотен до тысяч часов.

Также силитовые стержни (глобары) используют в качестве источников излучения в инфракрасной области спектра.

Датчик Холла

Датчик Холла

Датчик Холла

Назначение датчика Холла, его основные характеристики, принцип действия. Укажите, какие полупроводниковые материалы применяются для изготовления заданного прибора

Эффект Холла – явление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле.

Варистор

Назначение варистора, его основные характеристики, принцип действия. Полупроводниковые материалы, применяемые для изготовления варистора

Варистор

Назначение варистора, его основные характеристики, принцип действия. Полупроводниковые материалы, применяемые для изготовления варистора

Варистор – полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от приложенного напряжения

Поверхностная проводимость, поверхностное сопротивление диэлектриков

Поверхностная проводимость, поверхностное сопротивление диэлектриков

Поверхностная проводимость, поверхностное сопротивление диэлектриков

Поверхностная проводимость твёрдых диэлектриков. Факторы, влияющие на поверхностное сопротивление

Для твердых электроизоляционных материалов необходимо различать объемную и поверхностную проводимость.

Для сравнительной оценки объемной и поверхностной проводимости различных материалов пользуются значениями удельного объемного сопротивления ρV и удельного поверхностного сопротивления ρS.


Назад Вперед
Наверх