Решение ТОЭ онлайн
Техника высоких напряжений ТВН
Электротехника, основы электроники
Электрические измерения, электрические материалы

 
» » Включение p-n-p транзистора с общим эмиттером
на правах рекламы

Включение p-n-p транзистора с общим эмиттером

Включение p-n-p транзистора с общим эмиттером

Схема включения транзистора p-n-p с общим эмиттером. Формула коэффициента усиления для схемы с общим эмиттером

У транзисторов возможны три основные схемы включения. Они классифицируются в зависимости от выбора общего электрода усилительного каскада, т. е. электрода, входящего одновременно во входную и выходную цепи прибора. В соответствии с условиями установок связи этот общий электрод обычно заземляется.

Схема включения транзистора p-n-p с общим эмиттером

Рисунок 1 – Схема включения транзистора p-n-p с общим эмиттером

В большинстве случаев предпочтение отдается схеме с общим эмиттером (рисунок 1). В этой схеме входным током является ток базы IБ, а выходным — ток коллектора IК. Отношение этих токов определяет коэффициент усиления по току схемы с ОЭ.

На основании первого закона Кирхгофа

Соотношение токов коллектора и эмиттера транзистора приблизительно равно

Связь токов коллектора и эмиттера через коэффициент передачи тока эмиттера транзистора с ОЭ

где α = 0,95…0,99 – коэффициент передачи тока эмиттера.

Таким образом, коэффициент усиления по току схемы с ОЭ

коэффициент усиления по току схемы с общим эмиттером

Величину

коэффициент передачи базового тока для схемы с общим эмиттером

принято называть коэффициентом передачи базового тока.

В данной схеме она равна коэффициенту усиления (приближенно, так как не учтен IК0) по току. Этот коэффициент передачи базового тока β = 20÷50 при обычных значениях α = 0,95÷0,99.

Коллекторные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, представлены на рисунке 2.

Коллекторные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ

Рисунок 2 – Коллекторные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ

Из рисунка 2 следует, что при заданном токе базы ток коллектора зависит от коллекторного напряжения. Вследствие этого β зависит от напряжения на коллекторе и эмиттерного тока. Но эти и другие недостатки схемы с ОЭ искупаются преимуществом большого усиления мощности и тока и большей стабильностью работы.


Теги: транзистор p-n-p, схема с общим эмиттером, коэффициента усиления, коэффициент передачи базового тока

Комментарии:

Оставить комментарий