Расчет трехфазного трансформатора КГТУ

Машины постоянного тока и трансформаторы. Методические указания. А.Л. Встовский, А.Н. Грунов. Красноярск, КГТУ, 2003.

Контрольная работа №2 Расчет трехфазного трансформатора

Содержание работы

1. Рассчитать параметры схемы замещения трансформатора. Начертить схему замещения и упрощенную векторную диаграмму.
2. Рассчитать и начертить внешнюю характеристику.
3. Определить ударный и установившийся токи внезапного симметричного трехфазного короткого замыкания.

Скачать Методические указания: Машины постоянного тока и трансформаторы. А.Л. Встовский, А.Н. Грунов. Красноярск, КГТУ, 2003.

muk-mashiny-pt-i-transformatory-kgtu-2003.pdf [577,83 Kb] (cкачиваний: 134)

Скачать решение контрольной работы №2 Расчет трехфазного трансформатора

kr2-raschet-trehfaznogo-transformatora.pdf [1,74 Mb] (cкачиваний: 132)

Индуктированное перенапряжение линии

Рассчитать индуктированное перенапряжение на проводах линии со средней высотой подвеса провода 10 м. Разряд молнии с током 100 кА произошел на расстоянии 50 м от линии

При ударах молнии в землю у поверхности земли создается значительная напряженность электрического поля, под действием которой на линии образуется индуктированное напряжение. Механизм образования волны индуктированного перенапряжения в линии представим на рисунке.

Решение задачи переходные процессы

Теоретические основы электротехники. Методические указания и контрольные задания для студентов технических специальностей высших учебных заведений. Бессонов Л.А., Демидова И.Г., Заруди М.Е.

Задача 3.1 Переходные процессы в линейных электрических цепях

Дана электрическая цепь, в которой происходит коммутация (рисунки 3.1 – 3.20). В цепи действует постоянная ЭДС Е. Параметры цепи приведены в таблице 3.1. Рассмотреть переходный процесс в цепи второго порядка (смотри рисунки 3.1 – 3.20), когда L₂=0, т. е. участок а–b схемы закорочен, и когда С₂=0, т. е. ветвь m–n с конденсатором С₂ разомкнута. При вычерчивании схемы в тетради элемента L₂ и С₂ должны отсутствовать. Определить закон изменения во времени указанной в таблице величины (тока или напряжения).

Задачу следует решать двумя методами: классическим методом и операторным методом. На основании полученного аналитического выражения требуется построить график изменения искомой величины в функции времени в интервале от t=0 до t=3/|p|_min, где |p|_min – меньший по модулю корень характеристического уравнения.

Скачать решение задачи переходные процессы в линейных электрических цепях

reshenie-zadachi-perehodnye-processy.pdf [1,17 Mb] (cкачиваний: 1389)

Цепь со смешанным включением конденсаторов

Заданы емкости конденсаторов и напряжение на четвертом конденсаторе. Определить эквивалентную емкость цепи, напряжение, приложенное ко всей цепи, а также заряд и энергию электрического поля каждого конденсатора и всей цепи

Технология изготовления толстопленочных микросхем

Толстопленочная интегральная микросхема – ИМС с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемых методом трафаретной печати (сеткографии).

Толстые плёнки толщиной в несколько десятков мкм применяют для изготовления пассивных элементов: резисторов, конденсаторов, проводников и контактов.

В целом толстоплёночная технология состоит из ряда последовательных идентичных циклов:
- нанесение слоя
- сушка
- выжигание
- смена пасты и трафарета
- нанесение слоя и т.д.

Планарно-эпитаксиальная технология изготовления интегральных микросхем

Общая технологическая схема процессов производства полупроводниковых микросхем (или интегральных схем (ИС)) включает подготовительные процессы, формирование структуры ИС, в том числе межсоединений ее элементов, и заключительные процессы.

К подготовительным процессам относятся изготовление требуемого комплекта фотошаблонов и ряд заготовительных операций: подготовка полупроводниковых подложек (пластин), корпусов ИС и др.

Формирование структуры полупроводниковой ИС происходит по планарно-эпитаксиальной технологии, заключающейся в создании элементов ИС в приповерхностных слоях полупроводниковой пластины с одной (рабочей) стороны при использовании эпитаксиального наращивания тонкого слоя кремния и групповой обработки пластин. Причем отдельные процессы групповой обработки, например фотолитография, диффузия примесей, окисление, очистка поверхности пластины, носят циклический характер, т.е. обычно многократно повторяются при синтезе структуры полупроводниковых ИС и каждая последовательность процессов формирует определенную часть структуры ИС.

Решение задачи методом проводимостей ЗабГК

Забайкальский Горный колледж им. М.И. Агошкова, ЗабГК

Задача 4 Расчет цепи переменного тока методом проводимостей

В сеть переменного тока включена цепь (рисунок 4-4), подключенная к переменному напряжению U = 100 В, частотой f = 50 Гц. В I ветвь включено сопротивление X_C1 = 10 Ом, во II ветвь – сопротивление X_L2 = 10 Ом, в III – сопротивления R₃ = 16 Ом, X_L3 = 12 Ом.

Определить токи каждой ветви и неразветвленной части цепи, активную реактивную и полную мощности каждой ветви и всей цепи.

Определить C₁ и L₂. Задачу решить методом проводимостей. Построить век торную диаграмму токов.

Контроль изоляции по сопротивлению изоляции и коэффициенту абсорбции

Контроль изоляции по сопротивлению утечки. Измерение зависимости от времени сопротивления изоляции. Коэффициентом абсорбции. Недостаток контроля изоляции по сопротивлению утечки

Измерения сопротивления утечки выполняются с помощью простых переносных приборов – мегомметров.

По сопротивлению (или току) утечки можно судить о наличии в изоляции не только распределенных, но и сосредоточенных дефектов. Например, механические повреждения в виде неполных проколов или поперечных трещин, а также следы от незавершенных разрядов часто приводят к сильному снижению сопротивления изоляции.

Недостатком контроля изоляции по сопротивлению утечки является то, что в ряде случаев на результаты измерения сильное влияние могут оказывать утечки по поверхности твердых диэлектриков, которые не всегда правильно отражают состояние изоляции.

Расчет переходного процесса в цепи первого порядка классическим методом

Задание 4 (5)

Рассчитать и анализировать переходные процессы в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходные процессы.

1. Перерисуйте схему цепи, соответствующей вашему варианту.
2. Выпишите числовые данные для схемы вашего варианта.
3. Рассчитайте все токи и напряжение на C и L в три момента времени t: 0–, 0+, ∞.
4. Рассчитайте классическим методом переходные процессы в виде u_C(t), i₂(t), i₃(t) в схемах 1–5 и u_L(t), i₂(t), i₃(t) в схемах 6–10. Проверьте правильность расчетов, выполненных в п. 4, путем сопоставления их с результатами расчетов в п. 3.
5. Постройте графики переходных токов и напряжений, рассчитанных в п. 4. Определите длительность переходного процесса, соответствующую переходу цепи в установившееся состояние с погрешностью 5%.

Зона защиты тросового молниеотвода

Зона защиты тросового молниеотвода. Построение зоны защиты тросового молниеотвода. Вероятность прорыва молнии на проводах. Углы защиты применяются для надежного экранирования проводов

Зона защиты тросового молниеотвода. Вертикальное сечение зоны защиты тросового молниеотвода строится так же, как для стержневого, но с другими числовыми коэффициентами.

При рассмотрении условий защиты внешних проводов (или любого провода при одном тросе) обычно пользуются понятием не зоны защиты, а угла защиты α. Для защитной зоны на высоте более 0,7h α = 31°.

Наличие защитных тросов не гарантирует 100%-ной надежности защиты; всегда существует некоторая вероятность поражения провода – «прорыва молнии мимо тросовой защиты». В отличие от подстанций, территории которых поражаются молнией 1 раз в несколько лет, линии подвергаются прямым ударам десятки раз за грозовой сезон. Поэтому даже весьма малая вероятность прорыва молнии имеет существенное значение.

Для снижения вероятности прорыва молнии уменьшают защитные углы на высоких опорах путем раздвигания тросостоек к концам траверсы; условия защиты среднего провода при этом обычно сохраняются.