Генератор постоянного тока независимого возбуждения

Основные характеристики режимов работы

Якорь генератора приводят во вращение с практически постоянной скоростью. Рабочие свойства и особенности генераторов принято анализировать с помощью графиков – характеристик, которые можно снять экспериментально или рассчитать. Основной рабочей характеристикой генератора является внешняя характеристика, представляющая собой зависимость напряжения на зажимах якоря (или нагрузки) от тока нагрузки при нерегулируемой цепи возбуждения. Вспомогательной является регулировочная характеристика, показывающая, как надо регулировать ток возбуждения генератора в зависимости от тока нагрузки, чтобы напряжение оставалось постоянным. Связь между э. д. с. якоря и током возбуждения при постоянной скорости вращения дается характеристикой холостого хода.

1. Схема генератора постоянного тока (ГПТ) независимого возбуждения

2. Характеристика холостого хода

3. Внешняя характеристика

4. Регулировочная характеристика

Стабилизаторы напряжения и тока

1 Общая классификация

2 Параметрические стабилизаторы напряжения

3 Компенсационные стабилизаторы постоянного напряжения с непрерывным регулированием

4 Феррорезонансные стабилизаторы тока и напряжения

Расчет трехфазного трансформатора КГТУ

Машины постоянного тока и трансформаторы. Методические указания. А.Л. Встовский, А.Н. Грунов. Красноярск, КГТУ, 2003.

Контрольная работа №2 Расчет трехфазного трансформатора

Содержание работы

1. Рассчитать параметры схемы замещения трансформатора. Начертить схему замещения и упрощенную векторную диаграмму.
2. Рассчитать и начертить внешнюю характеристику.
3. Определить ударный и установившийся токи внезапного симметричного трехфазного короткого замыкания.

Скачать Методические указания: Машины постоянного тока и трансформаторы. А.Л. Встовский, А.Н. Грунов. Красноярск, КГТУ, 2003.

muk-mashiny-pt-i-transformatory-kgtu-2003.pdf [577,83 Kb] (cкачиваний: 130)

Скачать решение контрольной работы №2 Расчет трехфазного трансформатора

kr2-raschet-trehfaznogo-transformatora.pdf [1,74 Mb] (cкачиваний: 131)

Технология изготовления толстопленочных микросхем

Толстопленочная интегральная микросхема – ИМС с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемых методом трафаретной печати (сеткографии).

Толстые плёнки толщиной в несколько десятков мкм применяют для изготовления пассивных элементов: резисторов, конденсаторов, проводников и контактов.

В целом толстоплёночная технология состоит из ряда последовательных идентичных циклов:
- нанесение слоя
- сушка
- выжигание
- смена пасты и трафарета
- нанесение слоя и т.д.

Планарно-эпитаксиальная технология изготовления интегральных микросхем

Общая технологическая схема процессов производства полупроводниковых микросхем (или интегральных схем (ИС)) включает подготовительные процессы, формирование структуры ИС, в том числе межсоединений ее элементов, и заключительные процессы.

К подготовительным процессам относятся изготовление требуемого комплекта фотошаблонов и ряд заготовительных операций: подготовка полупроводниковых подложек (пластин), корпусов ИС и др.

Формирование структуры полупроводниковой ИС происходит по планарно-эпитаксиальной технологии, заключающейся в создании элементов ИС в приповерхностных слоях полупроводниковой пластины с одной (рабочей) стороны при использовании эпитаксиального наращивания тонкого слоя кремния и групповой обработки пластин. Причем отдельные процессы групповой обработки, например фотолитография, диффузия примесей, окисление, очистка поверхности пластины, носят циклический характер, т.е. обычно многократно повторяются при синтезе структуры полупроводниковых ИС и каждая последовательность процессов формирует определенную часть структуры ИС.

Включение p-n-p транзистора с общим эмиттером

Схема включения транзистора p-n-p с общим эмиттером. Формула коэффициента усиления для схемы с общим эмиттером

У транзисторов возможны три основные схемы включения. Они классифицируются в зависимости от выбора общего электрода усилительного каскада, т. е. электрода, входящего одновременно во входную и выходную цепи прибора. В соответствии с условиями установок связи этот общий электрод обычно заземляется.

В большинстве случаев предпочтение отдается схеме с общим эмиттером (рисунок 1). В этой схеме входным током является ток базы I_Б, а выходным — ток коллектора I_К. Отношение этих токов определяет коэффициент усиления по току схемы с ОЭ.

По заданной потенциальной диаграмме начертить схему электрической цепи

Задача. По заданной потенциальной диаграмме (рисунок 4.6) начертить схему электрической цепи и составить для этой цепи баланс мощностей.

Скачать решение Задачи По заданной потенциальной диаграмме (рисунок 4.6) начертить схему электрической цепи и составить для этой цепи баланс мощностей

po-zadannoy-potencialnoy-diagramme-nachertit-shemu-elektricheskoy-cepi.pdf [134,66 Kb] (cкачиваний: 162)

Трехфазный трансформатор Контрольная работа УрГУПС

Григорьев В.Ф. Трехфазный трансформатор. Задания для контрольной работы 1 и методические указания / В.Ф. Григорьев, А.В. Бунзя. – Екатеринбург: Издательство УрГУПС, 2011. – 27 с.

Методические указания составлены в соответствии с учебным планом для студентов заочного обучения специальностей 190303 – «Электрический транспорт железных дорог», 190401 – «Электроснабжение железных дорог», 190302 – «Вагоны» IV курса, по дисциплине «Электрические машины и электропривод».

Содержатся теоретические положения по разделу «Трансформатор» и рекомендации к выполнению контрольной работы 1 и подготовке к экзаменам.

Скачать Задания для контрольной работы 1 и методические указания, Григорьев В.Ф., Трехфазный трансформатор, УрГУПС

trehfaznyy-transformator-kontrolnaya-rabota-urgups.pdf [381,2 Kb] (cкачиваний: 153)

 

Исходные данные для контрольной работы Трехфазный трансформатор

S_H – номинальная мощность трансформатора, кВ·А;

U_1H – номинальное напряжение обмотки ВН, кВ;

U_2H – номинальное напряжение обмотки НН, кВ;

U_К % – напряжение короткого замыкания;

i₀ % – ток холостого хода;

P_К – потери короткого замыкания, кВт;

P₀ –потери холостого хода, кВт;

Схема и группа соединения обмоток трансформатора;

cos φ₂ – коэффициент мощности нагрузки.

Шунты

Шунты применяются для расширения пределов измерения измерительных механизмов по току, при этом большую часть измеряемого тока пропускают через шунт, а меньшую – через измерительный механизм.

Шунты имеют небольшое сопротивление и применяются, главным образом, в цепях постоянного тока с магнитоэлектрическими измерительными механизмами.

Шунт является простейшим измерительным преобразователем тока в напряжение. Измерительный шунт представляет собой четырехзажимный резистор.

Два входных зажима шунта, к которым подводится ток I, называются токовыми, а два выходных зажима, с которых снимается напряжение U, называются потенциальными.

К потенциальным зажимам шунта обычно присоединяют измерительный механизм измерительного прибора.

Сравнительные характеристики толсто- и тонкопленочных микросхем

В микроэлектронике используются два основных вида интегральных микросхем: пленочные и полупроводниковые ИМС.

Пленочные ИМС создаются на диэлектрической подложке путем послойного нанесения пленок различных материалов с одновременным формированием из них микроэлементов и их соединений.

Полупроводниковые ИМС создаются путем локального воздействия на микроучастки полупроводникового монокристалла и придания им свойств, соответствующих функциям микроэлементов и их соединений.

Комбинации этих технологий позволили создать гибридные и совмещенные ИМС, которые компенсируют некоторые недостатки, имеющиеся у пленочных и полупроводниковых ИМС.

Пленочная микросхема – микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов.